Một nhóm các nhà nghiên cứu từ Đại học Joseph KI-Zerbo ở Burkina Faso nghiên cứu hiệu suất của hệ thống điện mặt trời (PV) đặt gần các trạm thu phát sóng (BTS), phát hiện trường điện từ có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các tấm pin mặt trời tùy thuộc vào cường độ của chúng.
Các nhà khoa học nhận thấy, sự hiện diện của sóng điện từ trong trạm BTS có thể khiến dòng điện tăng lên trong các tấm pin mặt trời, mặc dù hiệu ứng này có thể không đủ mạnh để ảnh hưởng đến quá trình sản xuất điện năng của hệ thống. Tuy nhiên, khi điện trường quá mạnh, một phần dòng điện sẽ tạo ra nhiệt thông qua hiệu ứng Joule.
Điều này có thể làm giảm chất lượng mối nối p-n. Vì vậy, tốt nhất là giảm sự tiếp xúc của tấm pin mặt trời với trường điện từ mạnh. Nhóm nghiên cứu khuyến nghị triển khai hệ thống PV ở khoảng cách “an toàn” so với BTS và sử dụng các tấm pin mặt trời có hàm lượng boron cao, có khả năng chống chịu tác động trường điện từ tốt hơn và ít bị suy thoái do ánh sáng (LiD).
Để kiểm tra phương pháp tiếp cận của mình, các nhà nghiên cứu tiến hành một loạt mô phỏng và xác định phạm vi pha tạp boron tối ưu, giúp tăng khả năng chống chịu hư hỏng của tấm pin mặt trời dước tác động trường điện từ.
Nồng độ boron trong tấm pin mặt trời là mấu chốt để hình thành mối nối p-n cần thiết cho quá trình chuyển đổi năng lượng mặt trời. Nồng độ boron trong lớp loại p thông thường là 1021 cm−3. Các nhà nghiên cứu phát hiện, với nồng độ boron là 1017 cm−3, dòng điện trong tấm pin giảm trong khi điện áp tăng nhẹ.
Điều này có thể giải thích bằng công suất của tấm pin, thể hiện khả năng chống chịu hiệu ứng trường điện từ tốt hơn ở 1017 cm−3, họ cho biết thêm. Quan sát này là sự xác nhận công suất điện đầu ra tối đa nhận được ở mức độ pha tạp này, giữ cho tấm pin dưới ánh sáng mặt trời đa quang phổ trạng thái ổn định để giảm thiểu các hiệu ứng LiD.
Những phát hiện của nhóm nghiên cứu nêu trong bài báo “Điện trở suất của tấm pin mặt trời silicon tinh thể đối với tác động của trường điện từ”, công bố trên Solar Compass.
